三菱电机生产基地(三菱电机生产基地在哪里)

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三菱电机生产基地

为了提高三菱电机(www。mitsubishie electric-mesh . com)，该公司已开始投资建设6英寸晶圆生产线以扩大生产，然后与创新技术合作，向市场推出更多使用碳化硅芯片的新型功率器件。

三菱电机半导体首席执行官Gourab Majumdar博士近日表示，为了提高三菱电机(www。mitsubishie electric-mesh . com)，该公司已开始投资建设6英寸晶圆生产线以扩大生产，然后与创新技术合作，向市场推出更多采用碳化硅芯片的新型功率器件。在刚刚举行的PCIM亚洲2017展会上，Majumdar博士表示，三菱电机从2013年开始推出第一代碳化硅功率模块，2015年进入第二代，并率先投产4英寸晶圆生产线。由于碳化硅需求快速增长，三菱电机投资建设了6英寸晶圆生产线，并配合新技术缩小芯片尺寸。预计2018年将推出第三代碳化硅功率器件。

三菱电机半导体首席执行官Gourab Majumdar博士表示，自1996年推出DIPIPMTM以来，累计出货量已超过5亿台。右边是三菱电机半导体大中华区总经理索斯的梁大先生，左边是三菱电机半导体大中华区市场总监钱宇峰先生。

扩大生产的可调整价格由于全碳化硅和混合碳化硅的价格仍然远远落后于单晶硅，Majumdar博士表示，整体出货量仍然较小，主要用于日本的新干线、数控机床和太阳能逆变器，他预计6英寸晶圆生产线投产后价格可以调整。Majumdar博士指出，碳化硅在超高频应用中的优势及其对结温的高抵抗性可以使电子电源系统更安全、更小、更轻。在今年的PCIM亚洲展上，三菱电机展出了一款全碳化硅超小型产品DIPIPMTM，该产品已经量产，特别适用于变频家电。它的二极管和MOSFET采用碳化硅材料，降低了损耗和噪声，使效率更高。与市场上广泛使用的超小型DIPIPMTM封装相同，可以采用相同的电路板。额定电流覆盖15A、25A/600V，并配有集成短路保护、欠压保护和温度模拟输出。

变频家电用碳化硅功率器件

至于工业上使用的全碳化硅MOSFET和SBD，其损耗比单晶硅器件大大降低了70%。利用更强的高频开关特性，可以使外围设备小型化，并且可以减小整体封装尺寸。额定电流覆盖1200V/400A和1200V/800A产品。目前正在开发更多的产品，估计到2020年可以推出全线产品。新型HVIPM具有三种保护功能。在2017年PCIM亚洲博览会上，三菱电机首次在中国展出了新型HVIPM高压智能功率模块，可应用于铁路牵引。据Majumdar博士介绍，与HVIGBT相比，它的优势在于内置了驱动电路和保护电路，具有过流保护、过温保护和欠压保护三大功能。一旦系统出现异常，可以安全停止运行。采用HVIPM开发牵引变流器简化了外围电路，缩短了开发周期，提高了产品的使用寿命和可靠性。他继续指出，与市场上广泛使用的HVIGBT相比，HVIPM具有相同的封装尺寸和兼容的主端子，因此客户可以轻松地将HVIGBT替换为HVIPM。HVIPM有3.3kV/1500A和6.5 kV/750 A两种规格，除了电压和电流水平不同，结温也不同。6.5 kV产品与目前的HVIGBT处于同一水平，从400C到1250 C；而3.3 kV是从500C到1500C。随着新能源汽车的普及，Majumdar博士表示，市场非常看好这一领域。三菱电机早已开发出车载电源模块，截至目前，全球约有1000万辆汽车使用三菱电机的半导体电源模块。据Majumdar博士介绍，三菱电机汽车专用电源模块的优势在于系列更广，可分为J1A和J1B。J1A是700A以下的小功率产品，J1B是1000A电流的大功率产品。两个产品叠加在一起，覆盖了300A到1000A的电流等级和650V到1200V的耐压值。J1大功率产品系列为六合一，有1000A/650V和600A/1200V。一个模块可以连接主驱动系统。本产品采用第七代IGBT芯片，功率密度高，杂散电感极小。无铅设计符合环保要求。J1A和J1B的产品采用针形散热器，可以直接插入车身水箱进行水冷散热。因为J1系列产品驱动器的开发和整体散热还是比较复杂的，为了方便中国客户的采用，三菱电机为每个产品都提供了相应的整体解决方案，包括驱动板、薄膜电容、散热器等。，从而缩短客户的开发周期。

三菱电机第七代IGBT模块首次全电压、全封装、全系列展出。

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